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全硅集成光学──理论与工艺（Ⅱ）（续一）──第二讲　1．3～1．6μm硅光探测器

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摘要全硅集成光学──理论与工艺（Ⅱ）（续一）──第二讲１．３～１．６μｍ硅光探测器李国正（副教授）李道全（西安交通大学电子工程系，西安７１００４９）赵策洲（西安电子科技大学历电子所，西安７１００７１）１引言由于本征硅材料的长波吸收极限为１．１μｍ，因此用...

作者李国正李道全赵策洲

机构地区西安交通大学电子工程系

出处《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期178-190,共13页 Semiconductor Optoelectronics

关键词集成光学全硅集成光学硅光探测器

分类号 TN25 [电子电信—物理电子学]

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半导体光电

1994年第2期

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