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几种新型的光电器件 被引量:1

Novel Optoelectronic Devices
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摘要 描述用SOI技术制造的光耦合MOS继电器和多量子阱长波长红外探测器,以及集成异质结晶体管和激光二极管于一体的高增益、高灵敏的光电子开关器件。文中着重介绍这些器件的结构、制造工艺和器件特性,并对其进行了讨论。 This paper describes some newly developed optoelectronic devices such as optical coupling MOS relays made by SOI technology,multiple quantum-well(MQW) longwavelength infrared(LWIR) detectors,and high gain and sensitive photonic swithing devices integrating heterojunction phototransistors with laser diodes.The structures,fabrication technology and characteristics of these devices are presented.
作者 张佐兰
机构地区 东南大学
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期28-35,共8页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 红外探测器 多量子阱 光电器件 Infrared Detection Multiquantum-well SOI Technology MOS Relay
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