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大电流光激可控硅的设计制造及应用

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摘要 本文给出了大电流光激可控硅的设计考虑,特别对光激可控硅的正、反向阻断电压和α_(npn)、α_(pnp)的关系,以及光触发开启灵敏度和dV/dt、dI/dt耐量的解决办法作了较为详细的论述。同时还介绍了3安培光激可控硅的制造方法,以及在光敏固态继电器(SSR)上的应用。
作者 阮震翔
机构地区 杭州半导体厂
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期16-21,共6页 Semiconductor Technology
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