提高功率晶体管二次击穿耐量的新思路

分析了双极型功率晶体管芯片温度分布与版图设计的相关性，指出版图安排不合理导致芯片中心区域温度偏高，是诱发二次击穿的一个重要原因。提出了一种提高功率晶体管抗热模式二次击穿耐量的新思路。理论分析与实际应用均证明，把发射区安排在基区引线条周边的新设计，可显著改善双极型功率晶体管抗二次击穿特性。