LY8006型高频高反压大功率硅PNP晶体管的研制

ＬＹ８００６型高频高反压大功率硅ＰＮＰ晶体管研制成功，其双结反向击穿电压ＢＶ＿（ｃｅｏ）≥８００Ｖ，耗散功率Ｐ＿Ｄ＝２０Ｗ，特征频率ｆ＿Ｔ≥２５ＭＨｚ，达到同类器件的国际先进水平。本文重点介绍该器件的技术难点、设计思路及推广应用前景。