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金刚石多晶薄膜和硅异质结研究
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摘要
采用热丝法,甲醇、丙酮及氢气等离子体在硅衬底上沉积出金刚石薄膜,用透射电镜(TEM)及拉曼(Raman)谱分析膜中含有大小不等的金刚石颗粒,膜的厚度为50一100nm。C/Si异质结I-V曲线具有二极管整流特性,可耐高压,击穿场强达10 ̄7V/cm。
作者
周之斌
张亚增
翟林华
方建勋
王丽君
机构地区
安徽师范大学物理系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期35-36,共2页
Semiconductor Technology
关键词
金刚石薄膜
异质结
整流
硅异质结
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
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