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金刚石多晶薄膜和硅异质结研究

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摘要 采用热丝法,甲醇、丙酮及氢气等离子体在硅衬底上沉积出金刚石薄膜,用透射电镜(TEM)及拉曼(Raman)谱分析膜中含有大小不等的金刚石颗粒,膜的厚度为50一100nm。C/Si异质结I-V曲线具有二极管整流特性,可耐高压,击穿场强达10 ̄7V/cm。
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期35-36,共2页 Semiconductor Technology
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