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晶体管热敏参数快速筛选的研究 被引量:1

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摘要 传统的100%直流满功率电老化筛选虽然是公认的有效筛选方法,但此工艺毕竟费时、费电、费设备、效率低、成本高、筛选效率差。本文根据晶体管热敏参数异常与潜在缺陷早期失效的关系,论述了晶体管热敏参数快速筛选的机理,并对测试方法及工艺作了一定的讨论,最后考证了快速筛选的可行性。
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期40-42,共3页 Semiconductor Technology
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  • 1黄云,恩云飞,师谦,罗宏伟.KGD质量和可靠性保障技术[J].半导体技术,2005,30(5):40-43. 被引量:11
  • 2SANDOR M. Known-good-die assurance for MCMs in space application [R]. Jet Propulsion Laboratory, 1998.
  • 3GILG L. Known good die[J]. J Electronic Testing: Theory and Applications. 1997, 10(1/2): 15-25.
  • 4CHARLES Jr H K Tradeoffs in multichip module yield and cost with known good die probability and repair[J]. Microelectronics Reliability, 2001, 41(9).- 715.
  • 5EIA/JESD49-1996. Procurement standard for known good die (KGD)[S]. 1996.
  • 6EIAJEDR-4073-1999. Quality assurance guidelines for bare die including KGD[S]. 1999.
  • 7ES59008-2000. Data requirements for semiconductor die[S]. 2000.
  • 8IEC62258-2005. Semiconductor die products [S]. 2005.
  • 9ZAKARIA M F, KASSIM Z A. Reducing burn-in time through high-voltage stress test and Weibull statistical analysis [J]. IEEE Des & Test of Comp, 2006, (2): 88.
  • 10陈克明.用测量正偏二次击穿参数的方法来验证大功率器件的可靠性[J].世界电子元器件,1999(5):38-40. 被引量:1

引证文献1

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