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温度梯度下磷在硅中的扩散
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摘要
在单晶硅本身存在温度梯度条件下,实验观察到施主杂质磷在硅中的扩散系数比在恒温扩散炉条件下的扩散系数大得多。文中对这种异常扩散现象进行了讨论。
作者
王兴民
机构地区
北京师范大学低能核物理研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第6期32-34,共3页
Semiconductor Technology
关键词
磷
硅
温度梯度
扩散
单晶硅
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
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