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温度梯度下磷在硅中的扩散

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摘要 在单晶硅本身存在温度梯度条件下,实验观察到施主杂质磷在硅中的扩散系数比在恒温扩散炉条件下的扩散系数大得多。文中对这种异常扩散现象进行了讨论。
作者 王兴民
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第6期32-34,共3页 Semiconductor Technology
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  • 1厦门大学物理系半导体物理教研室.半导体器件工艺原理[M]人民教育出版社,1977.

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