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硅微波功率晶体管镇流电阻的设计

Desigh of Ballasting Resistor for Silicon Microwave Power Transistor
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摘要 从热稳定条件出发,对扩散镇流电阻的设计进行了详细的计算和分析,讨论了在保证器件增益前提下提高器件热稳定性的措施,器件应用显示出了良好的结果,最后提出了一种新的没有热崩现象存在的高可靠器件的设想。 From the thermal stability condition,a thorough analysis is pre-formed for the desigh of diffused emmitter ballasting resistor.Several methods to approve the stability are disscussed and used in the desigh of a microwave power linear transistor with good results,Finally a novel highly reliable tran-sistor without thermal breakdown is proposed in the paper.
作者 蔡树军
机构地区 石家庄电子部第
出处 《半导体情报》 1994年第3期11-15,共5页 Semiconductor Information
关键词 功率晶体管 镇流电阻 热稳定性 Microwave power transistor,Ballasting resistor,Thermal stability
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