优质高阻异型厚层硅外延IGBT材料n^—／n^＋／p^＋

High Quality Thick St Epitaxial Films n￣-/n￣+/p￣+ for IGBT

我们的实验研究结果表明，已经在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｐ＾＋的纵向电气与几何参数的最佳理论设计、关键的工艺生长技术和缺陷控制诸主要方面取得了进展，并因此制备了２＇＇－３＇＇１００μｍ厚度的高阻异型镜面硅外延片，且将其成功应用于１３００Ｖ／２０Ａ高性能ＩＧＢＴ的研制。