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优质高阻异型厚层硅外延IGBT材料n^—/n^+/p^+
High Quality Thick St Epitaxial Films n ̄-/n ̄+/p ̄+ for IGBT
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摘要
我们的实验研究结果表明,已经在n^-/n^+/p^+的纵向电气与几何参数的最佳理论设计、关键的工艺生长技术和缺陷控制诸主要方面取得了进展,并因此制备了2''-3''100μm厚度的高阻异型镜面硅外延片,且将其成功应用于1300V/20A高性能IGBT的研制。
作者
杨谟华
黎展荣
机构地区
电子科技大学
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第6期388-392,共5页
半导体学报(英文版)
关键词
IGBT
外延生长
半导体材料
缺隐
分类号
TN386.2 [电子电信—物理电子学]
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Journal of Semiconductors
1994年 第6期
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