器件工艺对碲镉汞位错的影响

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摘要用化学腐蚀法观察到，器件工艺过程中的机械应力和效应力使碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）晶片的位错大幅度增殖，汞气氛下低温热处理（２２０℃）使（ＨｇＣｄＴｅ）体材料的位错密度增殖３～４倍，并分别对实验室结果进行了分析讨论．

作者苏九令徐国来周正利沈杰施密清赵惠荣

机构地区上海交通大学微电子技术研究所

出处《半导体杂志》 1994年第1期1-6,共6页

关键词半导体器件工艺碲镉汞错位影响

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半导体杂志

1994年第1期

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