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热处理改善未掺杂LEC GaAs中EL2分布均匀性的机理研究
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摘要
本文以热处理方法研究了LECSI-GaAs中EL2径向分分布变化规律,着重研究了不同的热处理后冷却方式对EL2分布均匀性改善程度的影响,讨论了LECGaHs中EL2分布不均匀性的起源及热处理改善EL2分布均匀性的机理.
作者
李光平
杨瑞霞
机构地区
电子部四十六所
出处
《半导体杂志》
1994年第2期12-14,共3页
关键词
砷化铵
热处理
EL2
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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半导体杂志
1994年 第2期
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