期刊文献+

多孔硅的发光机制综述 被引量:4

下载PDF
导出
摘要 本文对目前所持的几种关于多孔硅发光机制的观点加以介绍,给出了一些实验事实和结果。
出处 《半导体杂志》 1994年第2期24-29,共6页
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献17

  • 1张树霖,1993年
  • 2鲍希茂,半导体学报,1993年,14卷
  • 3Tsai C,Appl Phys Lett,1992年,60卷,1700页
  • 4Xu Z Y,Appl Phys Lett,1992年,60卷,1375页
  • 5陈立登,科学通报,92卷,21期,194页
  • 6Xia J B
  • 7鲍希茂
  • 8林军
  • 9杨敏
  • 10张丽珠

共引文献29

同被引文献29

  • 1汪开源,刘柯林,唐洁影.多孔硅的光致发光谱[J].电子器件,1994,17(2):48-53. 被引量:2
  • 2林军,姚光庆,段家,秦国刚.多孔硅发光峰位波长为370nm的紫外光发射[J].Journal of Semiconductors,1995,16(12):947-950. 被引量:8
  • 3林军,张丽珠,陈志坚,宋海智,姚德成,段家忯,傅济时,张伯蕊,秦国刚.多孔硅蓝光发射与发光机制[J].物理学报,1996,45(1):121-125. 被引量:7
  • 4李谷波,张甫龙,范洪雷,陈华杰,俞鸣人,侯晓远.获得多孔硅蓝绿光发射的新方法[J].物理学报,1996,45(9):1586-1591. 被引量:3
  • 5C. Pickering, M. I. J. Beale, D. J. Bobbins, et al.Optical properties of porous silicon films[J]. Thin Solid Films, 1985, 125(2) : 157-163.
  • 6L. T. Canham. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers[J]. Appl Phys Lett, 1990, 57(10) :1046-1048.
  • 7A. G. Cullis, L. T. Canham, P. D. J. Calcott. The stractural and luminescence properties of porous silicon[J]. Appl Phys, 1997, 82(3) :909-965.
  • 8Chen Qianwang, Qian Y. T, chen ZY, et al. Visible luminescence from silicon warfers subjected to stain etches[J]. Appl Phys Lett, 1995, 66(13) :1608-1610.
  • 9Beale M I J, Benjam J D, Uren M J, et al. An experimental and theoretical study of the formation and microstructure of porous silicon[J]. Cryst Growth, 1985,73(3) :622-629.
  • 10Witten T. A., Sander L. M. Diffusion-limited aggregation[J]. Phys RevB, 1983, 27(9) :5686-5697.

引证文献4

二级引证文献12

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部