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再论军用半导体器件的贮存期及“延寿试验”
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摘要
本文讨论了军用半导体器件的贮存失效率模型、贮存失效率曲线、贮存数据和“延寿试验”.再次阐明超过贮存期的器件只要进行必要的“延寿试验”,试验合格的产品仍可交付使用。
作者
翁寿松
机构地区
无锡市元件四厂
出处
《半导体杂志》
1994年第2期37-41,8,共6页
关键词
半导体器件
军事
寿命
试验
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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半导体杂志
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