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再论军用半导体器件的贮存期及“延寿试验”

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摘要 本文讨论了军用半导体器件的贮存失效率模型、贮存失效率曲线、贮存数据和“延寿试验”.再次阐明超过贮存期的器件只要进行必要的“延寿试验”,试验合格的产品仍可交付使用。
作者 翁寿松
机构地区 无锡市元件四厂
出处 《半导体杂志》 1994年第2期37-41,8,共6页
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