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毫米波半导体器件与其外延材料的发展

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摘要本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件（如ＨＥＭＴ、ＨＢＴ、Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ、ＩＭＰＡＴＴ等）及相应外延材料的研究进展．

作者王向武陆春一

机构地区南京电子器件研究所

出处《半导体杂志》 1994年第3期20-29,共10页

关键词毫米波异质结 HEMT HBT 崩越二极管外延材料

分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]

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半导体杂志

1994年第3期

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