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国产HVM3509硅高压整流堆的设计与制造

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摘要本文报道了国产ＨＶＭ３５０９微波炉硅堆的设计、关键制造工艺和研制结果．

作者杭德生葛望大

机构地区南京大学物理系

出处《半导体杂志》 1994年第3期12-15,共4页

关键词微波炉硅堆硅高压整流堆

分类号 TN342 [电子电信—物理电子学]

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参考文献2

1杭德生,叶永琴.国产1N400系列硅整流二极管的设计与制造[J]半导体技术,1988(06).
2杭德生.塑封硅台面整流二极管组装技术的改进[J]半导体技术,1988(05).

1赵克威.高反压极小漏电流的微型硅堆SLD的研制[J].半导体技术,1990,6(6):26-29.
2杭德生.国产HVM3509硅高压整流堆的设计与制造[J].半导体技术,1995,11(2):26-28.

半导体杂志

1994年第3期

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