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三端电压控制型负阻器件（4）
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摘要
三端电压控制型负阻器件（４）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第四章“∧”双极晶体管［１３，１４］“∧”双极晶体管（ＬａｍｂｄａＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＬＢＴ。是以一ｎ沟增强型ＭＯＳ管作为反馈器件与一ｎｐｎ型纵向双极管（主器件...
作者
郭维廉
机构地区
天津大学电子工程系
出处
《半导体杂志》
1994年第4期28-35,共8页
关键词
双极晶体管
负阻器件
晶体管
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
引文网络
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郭维廉,于彩虹.
DUBAT负阻参数的推导和功率DUBAT的设计与研制[J]
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被引量：5
2
[美]马勒(Muller,R·S·),[美]卡明斯(Kamins,T·I·) 著,孙彦卿.集成电路器件电子学[M]科学出版社,1985.
二级参考文献
1
1
[美]马勒(Muller,R·S·),[美]卡明斯(Kamins,T·I·) 著,孙彦卿.集成电路器件电子学[M]科学出版社,1985.
共引文献
4
1
郭维廉,郑云光,侯增一,杨开俊,郭正毅,钟奇.
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被引量：3
2
郭维廉,郑云光,侯曾,郑爱林.
功率双基区晶体管（DUBAT）及其压（流）控调频效应[J]
.固体电子学研究与进展,1994,14(4):310-316.
被引量：4
3
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被引量：1
4
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郭维廉.
三端电压控制型负阻器件（2）[J]
.半导体杂志,1994,19(2):42-47.
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2
郭维廉.
三端电压控制型负阻器件（3）[J]
.半导体杂志,1994,19(3):30-43.
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3
郭维廉.
三端电压控制型负阻器件（7）[J]
.半导体杂志,1995,20(3):29-39.
被引量：1
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郭维廉.
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8
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郭维廉,牛萍娟,李晓云,刘宏伟,谷晓,毛陆虹,张世林,陈燕,王伟.
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4
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.固体电子学研究与进展,2013,33(2):158-161.
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向光平,沈继忠.
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1
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.半导体杂志,1994,19(1):42-45.
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.半导体杂志,1990,15(4):39-47.
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.半导体杂志,1994,19(2):42-47.
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半导体杂志
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