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一种高频高压双极性功率器件的研究
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摘要
针对常规双极功率晶体管(BPT)中存在的高频、高电流增益和高CE击穿电压间的固有矛盾,本文基于Kondo提出的GAT结构,利用刻槽淀积P+多晶硅基区的新工艺,研制了一种高频高压双极性功率器件,并对该器件的基区电场屏蔽效应进行了解析研究,实验获得了预期的效果。
作者
陈去非
陈珂
陈启秀
机构地区
浙江大学功率器件研究所
出处
《半导体杂志》
1994年第4期23-27,共5页
关键词
双极功率器件
器件模型
双极晶体管
功率晶体管
分类号
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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半导体杂志
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