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多晶硅敏感技术(连载五)
被引量:
2
Sensing Technology Based on Polycrystalline Silicon (Serial Five)
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摘要
6 多晶硅压力传感器 近些年来,随着多晶硅薄膜地深入研究,以在绝缘层上生长多晶硅薄膜(SOI)制作应变电阻器为敏感元件的压力传感器,其优越性已被广大研究者和生产部门所认可。 ①具有较大的压阻效应,最大值可达单晶硅的70%;并呈良好的线性。
作者
王善慈
机构地区
电子工业部第
出处
《传感器技术》
CSCD
1994年第5期55-64,共10页
Journal of Transducer Technology
关键词
多晶硅
敏感技术
压力传感器
分类号
TN379 [电子电信—物理电子学]
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传感器技术
1994年 第5期
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