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多晶硅敏感技术(连载五) 被引量:2

Sensing Technology Based on Polycrystalline Silicon (Serial Five)
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摘要 6 多晶硅压力传感器 近些年来,随着多晶硅薄膜地深入研究,以在绝缘层上生长多晶硅薄膜(SOI)制作应变电阻器为敏感元件的压力传感器,其优越性已被广大研究者和生产部门所认可。 ①具有较大的压阻效应,最大值可达单晶硅的70%;并呈良好的线性。
作者 王善慈
机构地区 电子工业部第
出处 《传感器技术》 CSCD 1994年第5期55-64,共10页 Journal of Transducer Technology
  • 相关文献

参考文献3

二级参考文献1

  • 1吴宪平,鲍敏杭.论硅的各向异性腐蚀[J]传感器技术,1987(01).

共引文献2

同被引文献4

  • 1许德华,祝冰.压力传感器半导体薄膜电桥优化设计[J].传感器技术,1995,14(6):20-23. 被引量:4
  • 2宋尔纯.多晶硅薄膜式并导体压力传感器[J].国外传感器,1991,(10):146-150.
  • 3宋尔纯(译),国外传感器,1991年,10期,146页
  • 4李科杰.传感器技术手册[M].北京:国防工业出版社,2002.828 - 829.

引证文献2

二级引证文献4

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