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氧离子对在孔中填充SiO2的影响

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作者 特兵
出处 《等离子体应用技术快报》 1994年第7期19-20,共2页
关键词 氧离子对 孔填充 二氧化硅 薄膜 电介质沉积
分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献
等离子体应用技术快报
1994年 第7期

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