沉积参数对PACVD沉积c—BN薄膜形成的影响
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1陈光华,张兴旺,王波,严辉.立方氮化硼薄膜研究的新进展[J].物理,1998,27(7):429-431.
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2张一鸣.用ECR等离子体CVD沉积的氮化硅膜特性[J].真空电子技术,1989,2(4):44-49.
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3一弓.Ar等离子体CVD沉积金刚石[J].等离子体应用技术快报,1996(1):5-6.
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4廖克俊,王万录.热灯丝辅助射频等离子体CVD法生长立方氮化硼膜的研究[J].微细加工技术,1994(2):47-50. 被引量：3
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5顾毓沁,余立新.硅基板上CVD沉积金刚石膜的热扩散率和热导率[J].薄膜科学与技术,1994,7(4):281-288. 被引量：1
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6王波,王玫,张德学,黄安平,宋雪梅,邹云娟,严辉.溅射气压和沉积时间对c-BN薄膜结构的影响[J].功能材料,2002,33(1):82-83.
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7肖旭萍.PACVD沉积混合相BN薄膜的特性[J].等离子体应用技术快报,1995(3):12-13.
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8Xingwang Zhang,Zhigang Yin,Faitong Si,Hongli Gao,Xin Liu,Xiulan Zhang.Electrical properties of sulfur-implanted cubic boron nitride thin films[J].Chinese Science Bulletin,2014,59(12):1280-1284. 被引量：2
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9邓金祥,王波,严辉,陈光华.宽带隙立方氮化硼薄膜制备[J].Journal of Semiconductors,2001,22(1):66-68. 被引量：6
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10季振国,杨成兴,刘坤,叶志镇.热场对雾化裂解CVD沉积的薄膜厚度均匀性的影响[J].材料科学与工程学报,2003,21(4):494-497.
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