等离子体处理对InP上氧化物生长和电性能的影响
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1刘春香.等离子体处理在硅中引入的深能级[J].电子材料快报,1995(2):10-11.
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2章其麟,任永一.MOCVD法在InP上生长GaAs及其在器件中的应用[J].上海半导体,1994(1):15-18.
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3屠海令.半导体材料稀土掺杂的理论及应用[J].稀有金属,1996,20(1):39-44. 被引量:1
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4顾聚兴.响应率达1A/W的光电探测器[J].红外,2003,24(9):25-25.
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5苏里曼.平面型磷化铟双极型晶体管[J].固体电子学研究与进展,1990,10(1):119-120. 被引量:1
-
6陈旭东.磷化铟及相关材料的发展——1998年IEEE磷化铟及相关材料国际研讨会评述[J].半导体情报,1998,35(4):59-60. 被引量:2
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7张忱.在Si上异质外延生长InP[J].电子材料快报,1995(1):5-6.
-
8邓志杰.展望2002年化合物半导体[J].现代材料动态,2002(11):1-2.
-
9一弓.ECR等离子体处理装置[J].等离子体应用技术快报,1994(8):8-9.
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10一方.微波等离子体处理装置[J].等离子体应用技术快报,1997(8):7-8.
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