非对称型IGBT击穿电压的数值分析

Numerical Analysis for the Breakdown Voltage of Asymetricai IGBTs

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摘要根据数值计算结果,提出了一种简便而又相当精确的设计非对称IGBT击穿电压的方法. Based on the calculated result , the author presents a simple but quite precise design method of the breakdown voltage of asymetrical IGBT.

作者高玉民

机构地区西安交通大学

出处《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1994年第1期65-68,64,共5页 Power Electronics

关键词击穿电压计算方法双极晶体管

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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