摘要
本文介绍了在3时掺铬GaAs LEC衬底上制造的离子注入GaAs单片微波集成电路(MMIC)IF放大器(IFA)的可靠性试验结果。该试验是总计为13000小时、对200多个IFA实行的三个加速老练试验和一个长期寿命试验。在125℃工作温度下,预计的失效率小于150非特。在激活能为1.9eV的情况下,失效前平均工作时间(MTTF)为10(?)小时。主要失效模式是IFA偏压电流和RF增益降额。初步失效分析表明,降额引起FET沟道电阻增大和跨导减小。
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1994年第5期41-45,共5页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
