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用离轴照明进行0.35μm光刻
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摘要
本文探讨了用离轴照明技术提高光刻工艺容限的方法。通过数值孔径分别为0.54和.48透镜系统的实验数据介绍了该技术的优、缺;点,并讨论了其在今后应用于亚半微米图形曝光的潜力所在,结合普通抗蚀剂工艺分析了该技术对薄膜工艺的影响。
作者
童志义
出处
《电子工业专用设备》
1994年第2期52-57,共6页
Equipment for Electronic Products Manufacturing
关键词
离轴照明
光刻
容限
步进机
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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