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PROM、EPROM可多次编程的两种方法

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摘要ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ可多次编程的两种方法王连平本文介绍的两种方法可两次、甚至多次（依芯片剩余单元多少而定）对ＰＲＯ４、ＥＰＲＯＭ＄程。一般ＰＲＯＭ为熔断式的，即有熔断丝处为“１”，熔断丝烧断处则为“０”。出厂时，新ＰＲＯＭ内存单元每一位均为“１”。用...

作者王连平

出处《电子技术（上海）》北大核心 1994年第6期42-42,共1页 Electronic Technology

关键词只读存储器存储器多次编程

分类号 TP333.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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电子技术（上海）

1994年第6期

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