期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
MOS-双极达林顿高频功率开关的设计
下载PDF
职称材料
导出
摘要
对于高频功率开关,除要求其具有开关速度快,有足够的带负载能力外,还要求其有较小的驱动功率.MOS-双极达林顿功率开关正是为此则设计的.它兼有MOS管、双极管两种开关的优点:输入特性类似MOS管,而输出特性类似双极管.本文介绍了MOS-双极达林顿高频功率开关的特性.同时,还考虑到开关中的元件选择、对驱动电路的要求和电路结构等问题.
作者
汤友庆
机构地区
江苏海安电大
出处
《电子技术应用》
北大核心
1994年第2期38-39,共2页
Application of Electronic Technique
关键词
达林顿结构
开关特性
功率开关
分类号
TN323.6 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
杨涛,李昕,陶煜,陈良月,高怀.
利用键合线提高ESD保护电路射频性能的研究[J]
.半导体技术,2011,36(10):804-808.
被引量:1
2
Sujit K Biswas 陈.
分立MOS—双极达林顿功率开关设计中的一些问题[J]
.国外电力电子技术,1992(1):23-27.
3
沈珮,张万荣,金冬月,谢红云,尤云霞,孙博韬,肖盈.
新型3.1~6GHz高增益超宽带低噪声放大器[J]
.北京工业大学学报,2010,36(9):1181-1185.
被引量:1
4
王彩琳,李建华,高勇.
三级达林顿GTR体耐压计算机辅助设计[J]
.半导体技术,1996,12(6):57-61.
被引量:1
5
丁华锋,严维敏,王钟,胡善文,高怀.
0.1~4GHz达林顿-共射共基结构的增益模块[J]
.电讯技术,2010,50(11):80-84.
被引量:4
6
李丁,王继安,李威.
DC到2.6GHz硅基MMIC放大器[J]
.微处理机,2005,26(2):14-17.
7
张滨,杨银堂,李跃进.
SiGe HBT超宽带低噪声放大器设计[J]
.微波学报,2012,28(4):76-80.
被引量:1
8
张伟梁,吴润照.
我制作的模块式功率放大器M2[J]
.无线电,2008(4):35-37.
9
鲁亚诗,张伟,李高庆,刘道广,李希有,鲁勇,刘爱华,张翔.
一种低噪声SiGe微波单片放大电路[J]
.微电子学,2006,36(5):588-590.
被引量:1
电子技术应用
1994年 第2期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部