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电子在双垒二极管中的共振隧穿

Electron Resonant Tunneling in Double-Barrier Diode
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摘要 本文对双垒二极管中的电子隧穿作了数值分析。引入隧穿矩阵,建立了透射系数的公式;利用该公式,计算了隧道电流。此外,本文还分析了势垒结构对伏-安特性的影响。 The main purpose of this paper is to give a numerical analysis for the electrontunneling in the Double-Barrier diode.A tunneling matrix is introduced,and the formula of thetransmission coefficient is established.With the formula the tunnel current is calculated.Furthermore the effects of the barrier structure on the current-voltage characteristics areanalysed。
出处 《电子器件》 CAS 1994年第3期12-15,共4页 Chinese Journal of Electron Devices
关键词 双垒 共振隧穿 透射系数 伏-安特性 二极管 Double-Barrier,resonant tunneling,transmission coefficient,current-voltagecharacteristic
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