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钽/硅多层膜在550℃退火后的局域扩散反应

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摘要 钽/硅多层膜在550℃退火后的局域扩散反应卢江,李凡庆,陈志文,谭舜,陆斌,张庶元,王路春,李齐(中国科技大学结构分析开放实验室,合肥230026)(南京大学物理系)多层膜提供了一个具有大量界面的扩散、晶化、固相反应的系统。本文研究了在550℃退火后...
出处 《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第6期501-501,共1页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society
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