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高能(Mev)As ̄+离子注入硅{113}缺陷的HREM研究

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摘要 高能(Mev)As ̄+离子注入硅{113}缺陷的HREM研究朱健民,李齐,蒋冬梅(南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京 210008){113}缺陷是在硅、锗等材料中发生于{113}面上的一种面缺陷,曾在以下硅(锗)材料中观测到:1)热退火后的...
出处 《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第6期478-478,共1页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society
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