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高能(Mev)As ̄+离子注入硅{113}缺陷的HREM研究
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摘要
高能(Mev)As ̄+离子注入硅{113}缺陷的HREM研究朱健民,李齐,蒋冬梅(南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京 210008){113}缺陷是在硅、锗等材料中发生于{113}面上的一种面缺陷,曾在以下硅(锗)材料中观测到:1)热退火后的...
作者
朱健民
李齐
蒋冬梅
机构地区
南京大学固体微结构物理国家重点实验室
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1994年第6期478-478,共1页
Journal of Chinese Electron Microscopy Society
关键词
硅
晶体缺陷
砷
离子注入
HREM
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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被引量:1
电子显微学报
1994年 第6期
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