基于定量原子像图像分析的InSb／GaAs半导体界面原子结构模型

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摘要基于定量原子像图像分析的ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面原子结构模型王绍青，孟祥敏，谢天生，褚一鸣（中科院金属所固体原子像实验室，沈阳１１００１５）（中科院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）由于ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体材料在半导体器件研制与生产中的...

作者王绍青孟祥敏谢天生褚一鸣

机构地区中科院金属所固体原子像实验室

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第6期461-461,共1页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关键词半导体材料砷化镓铟锑晶体结构原子像图像

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电子显微学报

1994年第6期

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