p—型ZnSe：N薄膜的电学特性
出处
《发光快报》
CSCD
1994年第2期39-41,共3页
-
1用新型的有机金属源材料以OMVPE技术制备氮掺杂ZnSe[J].发光快报,1994,15(4):28-31.
-
2徐永宽.P型ZnSe的氮掺杂及其载流子的补偿[J].电子材料快报,1998(9):16-17.
-
3薛若梅.ZnSe p型掺杂新技术[J].发光快报,1995,16(6):28-30.
-
4毕叔和.在Si（111）上外延生长ZnSe[J].电子材料快报,1999(4):5-6.
-
5采用氮掺杂和现场HF蒸汽清洗的高性能[J].电子产品可靠性与环境试验,2002(4):62-62.
-
6王吉丰,黄锡珉,张志舜,徐叙.Znse：Al电学性能的研究[J].发光学报,1995,16(2):149-152. 被引量：2
-
7孟宪棫.室温下ZnSe蓝色发光的衰减时间[J].发光快报,1993,14(3):38-40.
-
8ZnSe量子阱线结构的光致发光[J].发光快报,1994,15(3):15-17.
-
9陈云良,崔捷,沈爱东,屠玉珍,王海龙.N-型ZnSe:Cl的分子束外延生长[J].量子电子学,1993,10(1):68-71.
-
10刘卫民.P—型ZnSe电学接触的电流—电压特性[J].发光快报,1995,16(1):27-30.
;
