在小硅化物SIX_4~m(X=H,He,Li,Be,O,F,Ne,Na,Mg,S,Cl,Ar;m=0,±4)中分子成键倾向的从头算研究
Ab Initio Molecular Orbital Study of Bonding Trends in SiX System(X=H,He,Li,Be, O,F,Ne,Na,Mg,S,Cl,Ar;m=0,±4)
摘要
用从头算方法,在HF/STO-3G、HF/3-21G和HF/6-31G水平上研究了小硅化物的成键倾向性。计算结果表明,所研究的分子势能曲线均有稳定的极小值(SiLi_4除外),与已知的稳定分子SiH_4、SiF_4和SiCl_4比较,含惰性元素的未知分子SiHe、SiNe和SiAr比含碱金属和碱土金属的未知分子SiLi_4、SiNa_4、SiBe和SiMg有较明显的成键可能性,而未知分子SiS介于其间,所以SiHe、SiNe和SiAr有可能成为稳定的新分子的候选对象。
Bonding trends in SiX system are studied using the methods of ab initio molecular orbital at HF/STO-3G,HP/3-21G and HF/6-31G levels.The calculated results indicate that all species considered except SiLi_4 have local minima.Comparing with experimentally known molecules SiH_4,SiF_4 and SiCl_4,the species SiHe,SiNe,and SiAr containing rare gas,isoelectronic structure with previous molecules,respectively,have larger probability of bonding trends than species containing alkali metals Li and Na,alkali-earth metal Be and Mg.It could be expected that SiHe,SiNe and SiAr could be candidates of probably stable new molecules.
出处
《高等学校化学学报》
CSCD
北大核心
1994年第6期907-911,共5页
Chemical Journal of Chinese Universities
关键词
硅化物
分子轨道
分子成键倾向
Small silicon compounds
Ab initio molecular orbitals
Molecular bonding trends
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