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碳化硅阀片放电产生的辐射量计算

Radiation Energy from SiC Disc Discharging
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摘要 用等离子体理论计算了阀片放电通道产生的X射线剂量,并用热释光计量法进行了实测. The X-rays energy radiated from the discharging path in the SiC disc aging test was measured by means of TLD (Thermoluminescent Dosimetry) and computed using plasma theory,
出处 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 1994年第6期28-31,共4页 High Voltage Apparatus
基金 国家自然科学基金
关键词 辐射 碳化硅阀片 放电 计算 radiation, Sic disc, discharging, computation
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参考文献1

  • 1张良安,苑淑渝,张文艺,杨保初,张金玉,卢至.高压放电环境中X线照射量的水平[J]高电压技术,1988(02).

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