电致发光平板显示用硅场致发射体列阵
出处
《光电技术》
1994年第1期41-43,11,共4页
-
1孔白坚.用于真空荧光显示器的场致发射体阵列[J].真空电子技术,1990,3(6):39-41.
-
2姚建楠,李俊涛.Degradation of the Emission Current from the Field Emitter Caused by Ion Bombardment[J].Journal of Southeast University(English Edition),2002,18(4):326-330.
-
3李晨,陈静,雷威,夏军,王琦龙.Stable zinc oxide field emitter-based backlight unit for liquid crystal display[J].Journal of Southeast University(English Edition),2013,29(3):247-251.
-
4朱长纯,史永胜.场致发射显示器的现状与发展[J].真空电子技术,2002,15(5):15-17. 被引量:21
-
5催化生成的碳纤维场致发射体和由此制得的场致发射体阴极[J].高科技纤维与应用,2004,29(6):53-53.
-
6汪琛,赵宏卫,尹涵春,王保平,童林夙.新型T形边缘场致发射器件的静电分析[J].应用科学学报,1998,16(3):313-319.
-
7汪琛,赵宏卫,王保平,童林夙.边缘场致发射体的非正交有限差分算法模拟[J].真空科学与技术,1997,17(5):321-325.
-
8曾葆青,杨中海.楔型发射体真空微电子三极管的计算机模拟[J].真空电子技术,1998,11(6):9-12. 被引量:2
-
9尉伟,王勇,周洪军,裴元吉,蒋道满,范乐.场发射结构的有限元模拟[J].真空电子技术,2003,16(1):27-29. 被引量:6
-
10尉伟,裴元吉.场致发射微型阴极阵列结构的研究[J].真空科学与技术,1999,19(A10):147-151.
;