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纳米级蚀刻技术
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摘要
1.前言 近三年来,动态随机存储器(DRAM)的高密度化和微细化,以三~四倍的速度发展,16M比特的DRAM(最小加工尺寸为0.5~0.6μm)处于批量生产的初期阶段,256M比特的DRAM(最小加工尺寸为0.2~0.3μm)也达到开发阶段,已开始试制其样品。
作者
高晓萍
出处
《光机电世界》
1994年第4期3-6,共4页
关键词
集成电路
纳米级
蚀刻技术
VLSI
分类号
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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