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纳米级蚀刻技术

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摘要 1.前言 近三年来,动态随机存储器(DRAM)的高密度化和微细化,以三~四倍的速度发展,16M比特的DRAM(最小加工尺寸为0.5~0.6μm)处于批量生产的初期阶段,256M比特的DRAM(最小加工尺寸为0.2~0.3μm)也达到开发阶段,已开始试制其样品。
作者 高晓萍
出处 《光机电世界》 1994年第4期3-6,共4页
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