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烧结温度对低压ZnO压敏陶瓷显微结构及电性能的影响 被引量:9

EFFECTS OF SINTERING TEMPERATURE ON MICROSTRUCTURE AND ELECTRIC PROPERTIES OF LOW VOLTAGE ZnO VARISTOR
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摘要 利用XRD,SEM等技术,研究了ZnO-Bi_2O_3-TiO_2系低压压敏电阻材料的相组成及显微组织,并对不同烧结温度下的电性能进行了研究。结果表明,在1150~1200℃范围内,可通过改变烧结温度调整材料的压敏电压值,而材料的非线性系数α变化不大。 The phase composition,microstructure and electric properties of low voltage ZnO-Bi_2O_3-TiO_2varistors were studied by means of XRD,SEM techniques.The results of varistors sintered in air at a temperaturefrom 1150℃ to 1200℃ show that the breakdown voltage of varistor varies in the temperature range with a smallchange of nonlinear coefficient a.
出处 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期202-206,共5页 Journal of The Chinese Ceramic Society
基金 中国科学院青年基金
关键词 烧结温度 氧化锌 结构 压敏陶瓷 sintering temperature,low voltage zinc oxide,microstructure,electrical properties :
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