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掺杂对低压ZnO压敏陶瓷材料显微结构及电性能的影响 被引量:4

EFFECT OF DOPING ON MICROSTRUCTURE AND ELECTRIC PROPERTIES OF LOW VOLTAGE ZnO VARISTOR
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摘要 探讨了多种金属氧化物对ZnO-Bi_2O_3-TiO_2系材料的改性作用和对其显微结构的影响,为得到预定性能的材料提供了掺杂方面的实验依据。 The improvement of doping in the ZnO-Bi_2O_3-TiO_2 system and the effect of doping on the mi-crostructure were studied.UseLful experimental data are provided in the paper for obtaining varistor having expected electric properties.
出处 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期406-410,共5页 Journal of The Chinese Ceramic Society
基金 中国科学院青年基金
关键词 掺杂 氧化 结构 电性能 压敏陶瓷 doping,low voltage zinc oxide varistor,microstructure,electric properties
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