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带-带跃迁时的“热”电子激光器

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摘要 带-带跃迁时的“热”电子激光器文献[1]首次讨论了E0.1eV的“冷”冲击电子()激光器思想,其电子能量小于超晶格的势垒高度U0,在准带间跃迁。文献[2,3]首次展示了在注入GaAs中获得E0.1~0.3“热”电子的可能性,电子的射程达到(2~3)·...
作者 白光 晴天
出处 《国外激光》 CSCD 1994年第5期19-21,共3页
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