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半导体激光器与硅的原子重新排列粘合工艺

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摘要 半导体激光器与硅的原子重新排列粘合工艺对诸如Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器和硅这种具有完全不同物理性质的材料,可用原子重新排列粘合(BAR)技术进行金相连接。康乃尔大学工程学院和贝尔科公司研究人员之间的合作研究已证明,InGaAs/GaAs应变量子阱激光器可与...
出处 《国外激光》 CSCD 1994年第5期32-33,共2页
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