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半导体激光器与硅的原子重新排列粘合工艺
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摘要
半导体激光器与硅的原子重新排列粘合工艺对诸如Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器和硅这种具有完全不同物理性质的材料,可用原子重新排列粘合(BAR)技术进行金相连接。康乃尔大学工程学院和贝尔科公司研究人员之间的合作研究已证明,InGaAs/GaAs应变量子阱激光器可与...
出处
《国外激光》
CSCD
1994年第5期32-33,共2页
关键词
半导体激光器
硅
BAR
工艺
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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粘合——DVD领域的技术角逐[J]
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被引量:8
国外激光
1994年 第5期
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