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在GaAs上沉积氧化物缓冲层和用该层开发强介质薄膜

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摘要在ＧａＡｓ上沉积氧化物缓冲层和用该层开发强介质薄膜富士施乐公司与美国施乐公司一起，试验在ＧａＡｓ基片上异质外延生长强介质薄膜，目的是实现半导体激光器与强介质光学元件的集成。在ＧａＡｓ（１００）上低温外延生长出ＭＳＯ缓ｉｔｈ层，进而用该层外延生长ＢａＴ...

作者邹会意张荣康

出处《国外激光》 CSCD 1994年第2期35-35,15,共2页

关键词砷化镓介质薄膜气化物缓冲层

分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]

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国外激光

1994年第2期

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