摘要
目前国内外普遍采用水平沟道结构制造CRD(Current Regulator Diode)即在P型硅衬底上,外延生长3～5μm,电阻率为1～2Ω.cm的一个n型薄层,然后硼扩散在外延层上制作顶栅,底栅结是由n型外延层和P型衬底构成,参图1.为了减小导通电阻,在顶栅扩散后光刻 .源、漏接触窗口,通过浓磷扩散形成n^+区最后制作欧姆接触电极.工艺中关键是外延层生长和顶栅结制备.
出处
《杭州大学学报（自然科学版）》
CSCD
1994年第1期106-107,共2页
Journal of Hangzhou University Natural Science Edition
