赝三元半导体致冷烧结材料致密性和强度的研究

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摘要研究了以高优值系数赝三元半导体致冷区熔生长晶体为原料,制作烧结体材料的工艺,确定出以颗粒度为74～297μm的晶体粉末,400MPa下冷压成型,在380℃～400℃条件下,经五小时烧结处理,获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。

作者李将禄张静捷赵秀平刘莲

机构地区哈尔滨师范大学物理系黑龙江省电力职工大学

出处《黑龙江电子技术》 1994年第4期40-44,共5页

关键词赝三元半导体烧结材料致密性制冷材料

分类号 TB64 [一般工业技术—制冷工程]

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