赝三元半导体致冷烧结材料致密性和强度的研究

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摘要研究了以高优值系数赝三元半导体致冷区熔生长晶体为原料,制作烧结体材料的工艺,确定出以颗粒度为74～297μm的晶体粉末,400MPa下冷压成型,在380℃～400℃条件下,经五小时烧结处理,获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。

作者李将禄张静捷赵秀平刘莲

机构地区哈尔滨师范大学物理系黑龙江省电力职工大学

出处《黑龙江电子技术》 1994年第4期40-44,共5页

关键词赝三元半导体烧结材料致密性制冷材料

分类号 TB64 [一般工业技术—制冷工程]

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1荣剑英,赵秀平,李将录,董兴才,赵洪安.p 型赝三元温差电材料的研制[J].人工晶体学报,1993,22(1):15-20. 被引量：13

共引文献12

1吕强,程颖,程艳,胡建民,王景聚,赵洪安,荣剑英.Bi_2Te_3基p型赝三元热电材料的热压制备及性能[J].硅酸盐学报,2008,36(5):683-688. 被引量：3
2张红晨,程颖,荣剑英.P型Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3热压烧结热电材料的制备与性能研究[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2007,23(2):45-48. 被引量：1
3高瑞堂,马永轩,夏德勇,苏润洲.掺碳n型赝三元温差电材料性能改善的机理研究[J].人工晶体学报,1994,23(4):302-308.
4李将禄,张晓晔,赵秀平,刘薇.赝三元热电烧结体材料制作技术的研究[J].人工晶体学报,1995,24(2):127-131. 被引量：8
5李将禄,郭立群,全秀凤,冀士学,宁潜艳.温差电材料室温热导率测试装置的研制[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,1996,12(1):30-32. 被引量：1
6满达虎,王丽芳,段兴凯,胡孔刚,丁时锋,张汪年,马明亮.真空熔炼及热压烧结制备Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)热电材料的微结构研究[J].热加工工艺,2012,41(20):1-3.
7吕长荣,段福莲,荣剑英,李将录.温差电致冷原理及赝三元半导体致冷材料的性能[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2000,16(1):30-35.
8马丛笑,宁潜艳,郑艺娜,李将禄.往复区熔对n型温差电材料性能均匀性的影响[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2001,17(2):48-51.
9郎荣福,荣剑英,赵秀平,李将录,赵洪安.大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能[J].人工晶体学报,2002,31(2):144-147. 被引量：7
10满达虎,王丽芳,段兴凯,胡孔刚.真空熔炼及热压烧结制备Na掺杂Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)热电材料的微结构研究[J].热加工工艺,2014,43(24):30-32. 被引量：4

1吴佳君.半导体致冷在节能中的应用[J].现代通信,1990(9):8-8.
2华忠.用半导体致冷块自制冷、暖两用杯[J].家电检修技术,2009(4):50-51.
3谢超飞,张华荣.TiO_2/MnTiO_3复合纳米管的光谱学性能研究[J].化工新型材料,2010,38(2):55-56. 被引量：1
4侯俊钦,杨一军,王春瑞.PbSnS_3纳米棒的光学性质[J].淮北煤师院学报（自然科学版）,2002,23(4):31-33.
5谢翠萍,向卫东,骆乐,钟家松,赵斌宇,梁晓娟.AgInS_2量子点研究进展[J].功能材料,2014,45(4):9-16. 被引量：4
6吕相银,杨莉,凌永顺.半导体致冷表面温度的动态特性[J].低温工程,2006(6):45-47. 被引量：5
7陈荣波,姜洪涛.半导体致冷（热）微型空调风扇工作状态参数的计算机仿真[J].哈尔滨建筑工程学院学报,1994,27(1):62-68. 被引量：2
8李亚鹏,孟庆森,周红,杨江锋,崔教林.黄铜矿型三元合金CuGaTe_2的热电性能[J].功能材料,2013,44(4):552-554.
9迟泽涛.半导体致冷器△T·Q参数智能测试系统[J].红外技术,1993,15(4):17-19.
10刘振茂,赵秀平,李志伟,张国威,权五云.半导体致冷电对金属化层粘接强度的研究[J].哈尔滨工业大学学报,1994,26(5):73-76.

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