期刊文献+

半导体激光器行波速率方程的研究 被引量:1

Studies on Semiconductor Lasers With Travelling Wave Rate Equations
下载PDF
导出
摘要 考虑了InGaAsP半导体激光器的俄歇效应后,对描述稳态运行的半导体激光器的行波速率方程组进行了修正,求得了隐函形式的解析解,并以此对激光器的一些重要持性进行了讨论。 Taking into account the Auger effect, travelling wave rate equations applicable to InGaAsP semiconductor lasers were modified. The implicit analytical solutions have been deduced for the revised equations. Based on the expressions obtained, certain important characteristics of the diode lasers were discussed.
出处 《黑龙江商学院学报》 CAS 1994年第3期34-38,共5页 Journal of Harbin Commercial University(Natural Sciences Edition)
关键词 半导体激光器 行波速率方程 平均场近似 semiconductor laser,travelling wave rate equantions,rate equations
  • 相关文献

同被引文献5

  • 1郝尧,卢玉村,陈建国.优化反射率以增强半导体激光器输出功率[J].半导体光电,1995,16(2):131-134. 被引量:3
  • 2[4]Chen Jianguo, Li Dayi, Lu Yucun. Experimental and theoretical studies on monitored signals from semiconductor diodes undergoing antireflection coatings[J]. Appl. Optics, 1991, 30(31): 4 554-4 559.
  • 3[5]Higashi T, Ogita S, Soda H, et al. Optimumasymmetric mirror facet structure for high-efficiency semiconductor lasers[J]. IEEE J.of Quantum Electron., 1993, 29(6): 1 918-1 922.
  • 4[6]江剑平. 半导体激光器[M]. 北京:电子工业出版社,1998. 85.
  • 5于天池,郭青山,王佳菱.半导体激光器端面反射率对输出光功率的影响[J].河南科学,1998,16(4):429-432. 被引量:2

引证文献1

二级引证文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部