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HgCdTe的金属有机汽相外延生长(下)
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摘要
4.低温生长 发展金属有机汽相外延的最初动机是为了降低生长温度,从而减少与高平衡Hg汽压及一般较高的扩散系数有关的材料问题。第一次生长碲镉汞时,使用了DMCd和DETe,这两种材料均需要410 ℃的衬底温度。Hoke等人首先提出把能够在较低温度下热解的DiPTe用作DETe的替换物。
作者
S.J.C.Irvine
高国龙
机构地区
美国洛克韦尔国际科学中心
出处
《红外》
CAS
1994年第6期25-30,共6页
Infrared
关键词
HGCDTE
有机处延
生长
探测器
分类号
TN204 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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S.J.C.Irvine,高国龙.
HgCdTe的金属有机汽相外延生长(上)[J]
.红外,1994(5):1-5.
2
陶长远,刘达清.
低x值Hg_(1-x)Cd_xTe开管等温汽相外延[J]
.红外与激光技术,1991,20(2):30-34.
3
程祺祥,许毅,王秀珍.
Φ50mm多层GaAs气相外延技术[J]
.稀有金属,1992,16(6):424-427.
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徐宝琨,李钟华,宋利珠,赵慕愚.
In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的热力学分析[J]
.Journal of Semiconductors,1989,10(4):301-308.
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师庆华.
高效GaAlAs LED[J]
.液晶与显示,1990,10(4):48-52.
6
邸建华.
氢汽相外延生长激光二极管质量的InP/Si[J]
.发光快报,1995,16(5):34-36.
7
周哲.
汽相外延ZnSe薄膜的特性[J]
.发光快报,1993,14(6):23-26.
8
光助金属有机汽相外延生长ZnSe的氮掺杂[J]
.发光快报,1994,15(4):42-46.
9
尤明秋.
金属有机汽相外延生长CuGa(S0.65Se0.35)2/CuAl0.3Ga0.7(S0.65Se0.35)2双异[J]
.发光快报,1994,15(6):35-38.
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