摘要
用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．
A p+-GexSi1-x/p-Si heterojunction infrared detector is reported with 9μm cut-off wavelength and Rv500k of 3.3 × 103 V/W at 52 K.
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期149-152,共4页
Journal of Infrared and Millimeter Waves
基金
国家自然科学基金
关键词
异质结
锗硅合金
红外探测器
heterojunction
germanium-silicon alloy
infrared detector
