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GaAs上热壁外延Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te薄膜
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摘要
国内首次报道用热壁外延(HWE)技术在(100)GaAs衬底上生长出Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te(111)薄膜。结果表明,薄膜在15~20μm厚时X射线双晶衍射回摆曲线半高宽在100弧秒以下,其位错腐蚀坑密度等于甚至小于10 ̄3cm ̄(-2)薄膜组分、层厚均匀,表面光亮如镜,质量达到国际先进水平,优于国内Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te块晶,是外延生长HgCdTe的理想替代式衬底。文章强调了生长前GaAs衬底,多晶源预处理的重要性。
作者
陶长远
刘达清
机构地区
南开大学物理系
出处
《红外与激光技术》
EI
CSCD
1994年第3期15-17,共3页
关键词
砷化镓
热壁外延
碲锌镉
薄膜
分类号
TN304.210 [电子电信—物理电子学]
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红外与激光技术
1994年 第3期
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