HgCdTe光电二极管的1/f噪声

到目前为止,对于HgCdTe p^(-n)结光电二极管的1/f噪声,已得出多种结果。Kleinpenning比较了两种主要的1/f噪声电流模式:(1)建立在载流子迁移率起伏基础上的Hooge模式;(2)Mc Whorter模式,假定载流子浓度是起伏的,噪声电流密度S_1正比于电流平方。Hooge模式更符合实验结果。Tobin,S。P。等的结论是1/f噪声电流与暗电流成正比:i_n(f,V,T)=aIs(V,T)f^(-1/2),其中Is是表面产生电流和漏电流。