发光多孔硅研究进展

Investigation of photoluminescence in Porous Silicon

下载PDF

导出

摘要发光多孔硅研究进展ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｉｎＰｏｒｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎ￥／／秦国刚（北京大学物理系，教授北京１００８７１）硅是最重要的半导体材料，它在微电子领域有十分重要而广泛的应用。室温下硅的禁带宽度为１．...

作者秦国刚

机构地区北京大学物理系

出处《科技导报》 CAS CSCD 1994年第2期12-13,共2页 Science & Technology Review

基金国家自然科学基金

关键词硅多孔硅发光机制

1吴志峰,王宝辉.国外发光多孔硅的研究评述[J].现代科技译丛（哈尔滨）,1997(4):24-26.
2李学萍,张振宗,王维波,刘尧,肖绪瑞.发光多孔硅的光谱及电化学研究[J].感光科学与光化学,1993,11(3):272-274.
3李谷波,张甫龙,陈华杰,范洪雷,俞鸣人,侯晓远.发光多孔硅的表面氮钝化[J].物理学报,1996,45(7):1232-1238. 被引量：12
4苏宇欢.发光多孔硅二极管中负阻效应[J].电子材料快报,1999(4):18-18.
5彭爱华,谢二庆.发光多孔硅的制备条件研究[J].贵州大学学报（自然科学版）,2009,26(2):112-115.
6白新德,柳百新,兰爱东,马春来,蔡俊.发光多孔硅的制备及其电化学成膜机制研究[J].材料保护,1996,29(6):3-4.
7范洪雷,侯晓远,李喆深,张甫龙,俞鸣人,王迅.用脉冲腐蚀制备发光多孔硅[J].Journal of Semiconductors,1995,16(2):113-117. 被引量：7
8晋卫军,沈国励,俞汝勤.发光多孔硅的化学传感特征[J].分析化学,1997,25(5):604-609. 被引量：3
9季振国,陈立登,马向阳,姚鸿年,阙端麟.发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析[J].物理学报,1995,44(1):57-63. 被引量：2
10周咏东,金亿鑫.发光多孔硅微结构及其发光起源探讨[J].固体电子学研究与进展,1996,16(4):331-335. 被引量：1

科技导报

1994年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...