摘要
半导体材料CdS,CdSe薄膜因其优良的光电特性和广泛的应用前景,一直受到人们的重视.目前,许多研究组已对该膜的制备方法,结构与性能进行了比较细致的研究.Ray等对用常规真空蒸发方法制备的CdS薄膜进行了研究,发现随着膜厚度从13600A减少到1200A,膜的电阻由0.15变到3.7Ω 膜的透射率为80—90%,作者认为CdS膜具有六方结构,在(002)方向具有高度择优取向.Chuu等曾对用脉冲激光蒸发(PLE)和热蒸发(TE)
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第9期852-854,共3页
Chinese Science Bulletin
基金
国家自然科学基金
